![]() 用以生成薄層之裝置及方法
专利摘要:
本發明係關於用以在用於太陽能電池生產之基板上生成薄層之裝置,其中該等薄層係在超過250℃之溫度下藉由APCVD方法施加,該等基板係以連續操作方式在水平輸送機路徑上輸送並藉助APCVD塗覆進行塗覆。該輸送機路徑具有輸送機滾筒,該等輸送機滾筒係由耐熱非金屬材料(較佳陶瓷)組成。將加熱器件及/或吹掃氣體進給器件配置在該輸送機路徑之遠離該塗覆裝置之一側。 公开号:TW201314829A 申请号:TW101127820 申请日:2012-08-01 公开日:2013-04-01 发明作者:Christian Schmid;Dirk Habermann;Juergen Haungs;Chuck Attema;Tom Stewart;Kenneth Provancha 申请人:Schmid Gmbh Gebr; IPC主号:C23C16-00
专利说明:
用以生成薄層之裝置及方法 本發明係關於用以在基板上生成薄層之裝置以及使用該裝置以連續操作方式生成薄層之方法。 已知亦在太陽能電池生產中藉助大氣壓化學氣相沈積(APCVD)在基板上沈積或生成薄層。由於該等方法通常使用遠超過250℃之相對較高溫度,因此通常在金屬帶上或載體中輸送欲塗覆之基板。金屬帶通常係由基於鎳及鉻之合金組成,然而載體通常係由碳複合材料或石墨組成。該等輸送機系統在通過塗覆裝置後必須經受複雜清潔,此可依序或連續進行。 在此方面,金屬帶另外具有以下問題:由半導體材料(例如矽及GaAs)製成之基板在金屬污染之情形下會損失大量性能。另一選擇為,需要隨後實施極複雜清潔或避免使用上述載體。清潔步驟大大增加生產成本。對於諸如太陽能電池生產等大規模生產,由於裝載及卸載期間之機械應力導致破裂之風險增加,因此具有載體之輸送機系統繼而較不適宜。此情形主要適用於當前太陽能電池生產中之基板日益變薄(具有小於150微米之厚度)之趨勢。通常以循環連續帶形式實現之金屬帶之另一問題係帶加熱在原則上需要較高能量。一方面,必須加熱相對較大量之帶材料,且另一方面在每一情形下在相應加熱器件外部之區域或塗覆部分中再次冷卻該帶。此可導致溫度限制在約600℃。然而,一些APCVD方法需要甚至更高溫度。此外,可在位於熱金屬帶上之基板之情形下發生稱為彎曲之不期望效應,即在欲塗覆之太陽能電池晶圓中發生弓樣膨脹。 EP 0 503 382 A1揭示具有循環輸送帶之APCVD系統,在該循環輸送帶上方在輸送方向上以一定距離間隔配置有具有中間氮吹掃幕之製程前室、主反應室及製程後室。沿裝載站與卸載站之間之實質上整個長度,在輸送帶下方提供用以將欲塗覆之基板加熱至高達約500℃之溫度之複數個加熱元件。 DE 10 2009 041 546 A1揭示用以生成具有選擇性發射器之太陽能電池之方法。為此,所提出之可能方法係藉助APCVD生成諸如磷矽酸鹽玻璃(PSG)等摻雜源且隨後在具有滾筒、鏈帶或提升桿輸送之管式爐或連續爐中實現第一輕微擴散步驟。 DE 10 2008 030 679 A1揭示用以具有輸送器件之工件之擴散處理之裝置,其出於溫度及關於所用製程介質之耐腐蝕性之原因,提出使用由陶瓷材料製成之滾筒或圓柱形滾筒。在輸送機路徑上方之反應區域中提供氣體進給器件並面向在輸送機路徑下方之加熱器件(例如呈表面發射器之形式)。 申請者之先前專利申請案DE 10 2011 077 833闡述用以將Al2O3鈍化層施加至基板(具體而言太陽能電池矽晶圓)上之APCVD方法及相應裝置,其中該基板係藉助由輸送機滾筒形成之輸送機路徑以連續操作方式水平輸送。 本發明係基於以下目的:提供用以在基板上生成薄層之裝置以及以連續操作方式生成薄層之相應方法,藉此可避免先前技術中之問題且具體而言使任何期望APCVD方法具有多方面可用性。 此目的係藉由具有技術方案1之特性之裝置以及藉由具有技術方案13之特性之方法達成。本發明之有利組態形成其他技術方案之標的物且在下文中更詳細地解釋。在此情形下,僅結合裝置或該方法闡述該等特性中之一些特性。然而,儘管如此,但其應適用於裝置及方法二者中。說明書中之內容明確參照申請專利範圍之措辭。 本發明之例示性實施例示意性地顯示於圖式中且在下文中更詳細地解釋。 如本文所提供,在超過250℃之溫度下藉由APCVD方法施加層。在此情形下,基板係以連續操作方式在水平輸送機路徑上輸送且藉助相應塗覆裝置塗覆。根據本發明,輸送機路徑係以滾筒路徑形式實現,即輸送機路徑具有連續配置之輸送機滾筒。輸送機滾筒係由耐熱非金屬材料組成。由此可避免金屬污染之風險且解決上述之複雜清潔之問題。可使輸送機滾筒之材料之耐熱性適應於預期用途或適應於欲用於塗覆製程之溫度。 根據本發明,在輸送機路徑之遠離APCVD塗覆裝置之一側(較佳在該輸送機路徑下方)提供加熱器件及/或吹掃氣體進給器件。加熱器件可確保將欲塗覆之基板自一側加熱至所需程度,同時在另一側施加層或實現塗覆。適宜加熱器件係輻射加熱器件,如原則上為熟習此項技術者所熟知。該等加熱器件可係IR加熱器、石英燈或諸如此類。吹掃氣體進給器件可將基板自遠離欲塗覆基板表面之側(例如自下方)暴露於所謂的吹掃氣體中。由此可避免APCVD塗覆裝置中過大比例之氣流進入滾筒路徑中或抵達無塗覆發生之基板底側之情況。 由於輸送機路徑係作為具有通常以一定距離間隔配置之滾筒之滾筒路徑實現,因此加熱器件及/或吹掃氣體進給器件可極有效地作用於基板。因此,吹掃氣體可經過滾筒間隙直接到達基板上,且可同樣地引導加熱器件之熱力直接穿過滾筒間隙及/或亦經由輸送機滾筒間接引導至基板。 可自石墨材料或纖維複合材料生成輸送機滾筒,該等材料可耐受高溫,其中相應地耐熱纖維係(例如)碳纖維、石墨纖維、玄武岩纖維或聚芳醯胺纖維。由此亦可達到高於250℃之溫度。有利地,輸送機滾筒係由陶瓷材料組成或具有由陶瓷材料組成之至少一個外表面或塗層。尤其有利的是,至少輸送機滾筒之滾筒體完全自陶瓷來製造。具體而言,亦可自陶瓷材料生成輸送機路徑之其他部件,例如輸送機滾筒在其上移動之軸承或軸。在此情形下,該等軸可經由具有適當通孔之輸送機滾筒連續移動,或以軸頸形式自輸送機滾筒伸出且安裝在輸送機路徑之滾筒軸承上。重要的是,在任何情形下,與基板接觸或極接近基板之輸送機滾筒區域係由耐熱非金屬材料組成以避免上述污染風險。 許多材料適於作為陶瓷材料。尤其有利的是使用氧化鋁,此乃因由此可提供積極經歷且氧化鋁亦通常以相對較大工業規模使用且可易於處理。氧化鋁亦具有較小破裂風險且在機械上穩定。亦可將纖維、具體而言諸如玄武岩纖維等陶瓷纖維混合成陶瓷材料。 在本發明之另一組態中,沿輸送機路徑有利地提供至少兩個該APCVD塗覆裝置。由此可(例如)沈積薄層兩次或更多次且因此達到較大總體層厚度或加快製程。有利地,另外,兩個塗覆裝置以一定距離(例如其自身通道長度之2至5倍)間隔開。有利地,可在塗覆裝置之間提供其他加熱器件,以使得亦可將基板保持在其間之溫度下。 在本發明之一研發中,可預加熱通道方向中之第一塗覆裝置之上游之基板。繼而使用加熱器件或輻射加熱器件有利地實現此預加熱。為此,可尤其有利地提供預加熱室之類型。在輸送機路徑或基板上方提供用以預加熱之加熱器件可視為合適的,例如在此頂側上實現基板之隨後塗覆時。此外,由此可簡化系統之結構,尤其亦關於具有輸送機滾筒之輸送機路徑或滾筒路徑之結構及可接近性。 以類似於上述預加熱室之方式,其亦可提供用以加熱塗覆裝置之下游之基板。一方面,因此可再處理塗層,且另一方面可將基板保持在用以隨後塗覆步驟或機械加工步驟之溫度下。 在兩個塗覆裝置之間之上述經加熱區域可有效地以第二塗覆裝置之預加熱室之方式有利地接近外部,此可具有與第一塗覆裝置之上游之預加熱室類似之結構。此處,同樣,可視為有利的是,將加熱器件配置在面向欲塗覆之基板表面之一側上(例如在輸送機路徑或欲塗覆基板上方),而在塗覆裝置本身之區域中,在另一、相對側(例如在輸送機路徑下方)提供加熱器件。 由於本發明之輸送機滾筒具有由耐高溫非金屬材料製成之表面或固體材料,因此塗覆裝置可經設計用於遠大於600℃之沈積溫度。主要由於輸送機路徑或輸送機滾筒中之上述陶瓷材料,亦可達到大於800℃或甚至大於1000℃之溫度。 作為用作加熱器件且以電方式操作之上述輻射加熱系統之替代方式,亦可提供具有氣體熱流或電漿之加熱系統。出於此目的,可提供空氣、氮或另一適宜氣體混合物。有利地,在APCVD塗覆裝置外部向該加熱系統提供氣體熱流,以不影響其中進行之塗覆操作,即使所使用之氣體不直接與塗覆製程相互作用。 在本發明之另一組態中,可有利地在APCVD塗覆裝置上提供廢氣系統。此使得可以較少中斷進行塗覆操作且可更有效地控制氣體之引入流。 對於吹掃氣體進給而言,已證明提供複數個噴嘴係有利的,例如以槽樣或陣列樣方式延伸且在塗覆裝置之區域將基板之實質上整個表面區域暴露於(例如)來自下方之吹掃氣體中之噴嘴。可引導噴嘴穿過加熱系統以使得在吹掃氣體撞擊基板之前將其加熱。 在本發明之一研發中,吹掃氣體進給器件經設計以將作為用於加熱或用於冷卻之溫度控制介質之吹掃氣體引導至基板上。在某些應用中,使用作為冷卻介質之吹掃氣體來防止諸如基板膨脹等不期望加熱效應,尤其在將基板之欲塗覆側暴露於相對較高塗覆溫度之情形下。藉由將相對基板側暴露於處於低於塗覆溫度之溫度下之吹掃氣體中,可在塗覆製程期間在基板之相對側將基板冷卻至期望程度。 在本發明之又一有利組態中,輸送機路徑可相對於裝置之其他部分垂直移動,或可單獨移動該二者。為此,若可向下降低輸送機路徑而使裝置其他部分保持靜止,則尤其有利。此表示可能的複雜性最低且欲移動之質量亦相對較小。由於具有顯著較佳可接近性,可在降低的輸送機路徑上實施清潔及維護工作。在上述加熱及/或吹掃氣體進給器件配置在塗覆裝置之區域中之輸送機路徑下方之情形下,可將該等器件以亦可移動或降低該等器件之方式來將其固定於輸送機路徑上。然而,此並不造成問題。在此方面,若將用於預加熱或以其他方式加熱基板之加熱器件配置在輸送機路徑上方,由於其並不干擾降低操作,則此亦係有利的。 藉由本發明之方法,可生成介電層且作為薄層將其施加至基板上。有利地,該層係選自由以下組成之群:SiO2、Al2O3、SiNx、AlN。尤其有利的是,由此塗覆太陽能電池。 另一選擇為,藉由本發明之方法,出於(例如)接觸連接之目的,可將導電層作為薄層施加至太陽能電池上。有利地,此係TCO層。此主要係在太陽能電池之情形下較為有利。 作為另一替代方式,藉由本發明之方法,可將摻雜層施加至作為基板之太陽能電池上。此可係P摻雜、B摻雜或Ge摻雜。 作為另一替代方式,藉由本發明之方法,可將抗反射層作為薄層施加至作為基板之太陽能電池上。其可選自由以下組成之群:SiNx、MgO、MnO、TiO2、ZrO2、MoSi2。 如所闡述,由於通常可在滾筒路徑上極佳且溫和地輸送基板,因此本發明之方法以及相關裝置尤其易於適用於塗覆薄基板。此亦用於陶瓷滾筒之情形。藉由聯機塗覆,可在短時間內極有效地施加足夠層厚度之塗層且溫和地處理欲塗覆基板。 該等及其他特性不僅出現於申請專利範圍中且亦出現於說明書及圖式中,其中個別特性可在每一情形下獨自實現或在本發明之實施例及其他領域中以子組合形式作為複數個特性來實現,且可組成本文主張保護之有利且固有地受保護之實施例。將申請案細分為個別部分及副標題並不限制其中所作陳述之一般有效性。 圖1顯示本發明之裝置11,使用該裝置可在基板上沈積薄層。具體而言,裝置11可用於太陽能電池生產。其具有注入器13作為塗覆裝置,如人們(例如)自DE 10 2011 077 833所熟知。 在左邊,在注入器13之上游提供具有相應加熱器件21之預加熱室20,而在注入器13之下游提供具有加熱器件24之再加熱系統23。輸送機路徑27在注入器13以及預加熱室20及再加熱系統23下方之裝置11之底部區域中延續。該輸送機路徑具有個別輸送機滾筒28,使用該等輸送機滾筒可以引言中所闡述之方式輕微地輸送基板30、具體而言用於太陽能電池生產。在此情形下,基板30僅位於輸送機滾筒28上且藉由後者之旋轉輸送。非常明顯,此係盡可能輕微的操作,且因此可輸送並塗覆甚至極薄或敏感之基板30。可有利地驅動輸送機滾筒28,但此可容易地由熟習此項技術者實施且因此在此處並不較詳細地顯示。在此情形下,輸送機滾筒28在滾筒軸29上旋轉;同樣地此可易於構想且因此在此處無須進一步解釋。滾筒28及滾筒軸29係由上述陶瓷材料組成,準確地講由固體材料、具體而言氧化鋁組成。另一選擇為,亦可構想用陶瓷所塗覆之滾筒28。 此外,在注入器13上提供廢氣系統15,且亦在再加熱系統23上提供廢氣系統。此將在下文中更詳細解釋。 將加熱器件14配置在注入器13下方。而加熱器件21及24向下作用或輻射以加熱其下方所輸送經過之基板30,將注入器13之加熱器件14配置在基板30或輸送機路徑27下方且向上作用。此並不干擾塗覆操作且使得可在基板頂側上進行塗覆操作期間自下方加熱基板。 顯示於圖2中之改良裝置111顯示提供兩個注入器113a及113b,在每一情形下在其下方及輸送機路徑127下方具有加熱器件114a及114b。類似地,提供具有相應加熱器件121之預加熱室120及具有加熱器件124之再加熱系統123。在2個注入器113a與113b之間提供具有相應加熱器件126之中間加熱系統125以將欲塗覆之基板130保持在輸送機路徑127上之溫度下。在此情形下可形成如同預加熱室120或再加熱系統123之中間加熱系統125。此亦適用於其加熱器件126,該加熱器件繼而配置在輸送機路徑127上方且加熱其下方之基板130。 在注入器113a及113b二者上提供廢氣系統115。其亦向下延伸至輸送機路徑127,且此在下文中更詳細解釋。同樣,在此裝置111中,輸送機路徑127具有輸送機滾筒128。有利地,該等輸送機滾筒具有與圖1中嚴格相同之設計。 如圖3中所顯示作為APCVD塗覆裝置之注入器13之放大圖首先顯示(同樣以放大比例)具有滾筒軸29之輸送機滾筒28,該等輸送機滾筒形成輸送機路徑27。基板30位於輸送機路徑27或輸送機滾筒28上,其中基板頂側31面向上。在此情形下,如本身所習知,可以未顯示之方式在框架或裝置11上於橫向滾筒軸承中安裝滾筒軸29。此外,該等滾筒軸29可移動穿過輸送機滾筒28且在兩端伸出。有利地,其亦可以短軸之形式使用或通常將其固定在滾筒軸承中,以使得輸送機滾筒28只是寬鬆地置於上面且可在上面與驅動器一起旋轉。 注入器13具有氣體入口16,將用於APCVD塗覆之製程氣體引入該氣體入口中。此本身已為熟習此項技術者所熟知,具體而言亦參見上述DE 10 2011 077 833。氣體入口16延伸至注入器13之底側或恰在基板頂側31上方之氣體出口17。在此處,製程氣體然後側向流動至不同氣體提取物18a(相對接近氣體出口17)及氣體提取物18b(與外部距離稍遠)。在此情形下,氣體提取物18a及18b與上述廢氣系統15連接。 在注入器13之左邊及右邊,同樣分別顯示具有加熱器件21之預加熱室20及具有加熱器件24之再加熱系統23。在此情形下,加熱器件21及24在塗覆操作之前即刻及之後即刻加熱基板頂側31。 在注入器13下方之輸送機路徑27下方提供具有個別吹掃噴嘴35之吹掃氣體進給器件34。將吹掃氣體經由該器件引入裝置11中,且該吹掃氣體在一定程度上使注入器13下方之區域中基板30下方之區域保持沒有來自APCVD塗覆裝置之氣體出口17之氣體。因此可避免在基板30之底側上發生污染或沈積之情形。 亦將注入器13之上述加熱器件14配置在吹掃氣體進給器件34或吹掃噴嘴35之區域中。引導吹掃噴嘴35穿過加熱器件14。在此情形下,以多個個別噴嘴或細長噴嘴(具體而言槽式噴嘴或環形噴嘴)形式形成吹掃噴嘴35。 離開吹掃噴嘴35之後,吹掃氣體可通過輸送機滾筒28之間之間隙直接到達基板之底側,且通過連續基板30之間之間隙到達輸送機路徑27上方之區域中。除其指定吹掃目的之外,若需要,吹掃氣體可實施用於基板30之溫度控制功能,即加熱或冷卻功能。為此,在適當之期望溫度下將吹掃氣體引導至基板30上。對於此溫度控制應用,若需要,可藉由加熱器件14加熱吹掃氣體,具體而言係在通過吹掃噴嘴35時進行加熱。另一選擇為,可將吹掃氣體引導至未預加熱或進行先前主動冷卻之後之基板30上以冷卻底側上之該等基板,較佳地在頂側上進行塗覆製程期間、之前不久及/或之後不久進行。對於主動吹掃氣體冷卻,可使用本身已知用於此目的之氣體冷卻裝置中之任一者,且出於此原因在此處無需更詳細地對其進行解釋。作為在底側上將基板暴露於經加熱吹掃氣體之替代方式或與其一起使用,亦可藉由加熱器件14(例如藉由經由滾筒間隙進行之輻射加熱)及/或藉由輸送機滾筒28自身在底側直接加熱基板30。 加熱器件14及吹掃氣體進給器件34在輸送方向中之範圍實質上限於在輸送機路徑28上方相對配置之注入器13之相應範圍內。此情形證明足以滿意地加熱基板,且視情況增加配置在頂側上之加熱器件21、24。與具有循環輸送帶之習用系統相比,在本情形下藉由滾筒路徑獲得相當高加熱效率之優勢。無需加熱在循環後再次冷卻之帶,且輸送機滾筒28保持在原位。此外,由於配置在塗覆區域中之彼等輸送機滾筒28係以一定距離間隔配置,因此該等輸送機滾筒可用作連續熱轉移元件及/或可促進基板自下方之直接加熱。 關於塗層之功能化方式,繼而參考上述DE 10 2011 077833。 最後,圖4再次顯示圖1中所顯示之裝置11。出於維護之目的,具體而言在輸送機路徑27上,已將後者向下移動或降低,亦即亦向下移動或降低輸送機滾筒28以及軸承(未顯示)及固定在上面且以其他方式位於注入器13下方之加熱器件14。可易於看到此時可極有效地維護或修理或清潔輸送機路徑27或輸送機滾筒28。可藉由電動馬達、液壓或藉由純機械方式降低輸送機路徑27。如可在圖4中清楚所見,亦可無任何問題地降低加熱器件14。在已實施維護工作之後,然後將其與輸送機路徑27一起簡單地再次升高。 11‧‧‧裝置 13‧‧‧注入器 14‧‧‧加熱器件 15‧‧‧廢氣系統 16‧‧‧氣體入口 17‧‧‧氣體出口 18a‧‧‧氣體提取物 18b‧‧‧氣體提取物 20‧‧‧預加熱室 21‧‧‧加熱器件 23‧‧‧再加熱系統 24‧‧‧加熱器件 27‧‧‧輸送機路徑 28‧‧‧輸送機滾筒 29‧‧‧滾筒軸 30‧‧‧基板 31‧‧‧基板頂側 34‧‧‧吹掃氣體進給器件 35‧‧‧吹掃噴嘴 111‧‧‧裝置 113a‧‧‧注入器 113b‧‧‧注入器 114a‧‧‧加熱器件 114b‧‧‧加熱器件 115‧‧‧廢氣系統 120‧‧‧預加熱室 121‧‧‧加熱器件 123‧‧‧再加熱系統 124‧‧‧加熱器件 125‧‧‧中間加熱系統 126‧‧‧加熱器件 127‧‧‧輸送機路徑 128‧‧‧輸送機滾筒 130‧‧‧基板 圖1顯示本發明之塗覆裝置,其包括單一APCVD塗覆裝置及具有輸送機滾筒之輸送機路徑,圖2顯示類似於圖1中所顯示裝置之改良裝置,其包括兩個APCVD塗覆裝置,圖3在具有氣體進給之側之放大剖面圖及輸送機路徑之放大圖解中顯示APCVD塗覆裝置,且圖4顯示輸送機路徑降低之圖1中所顯示之裝置之圖解。 13‧‧‧注入器 14‧‧‧加熱器件 15‧‧‧廢氣系統 16‧‧‧氣體入口 17‧‧‧氣體出口 18a‧‧‧氣體提取物 18b‧‧‧氣體提取物 20‧‧‧預加熱室 21‧‧‧加熱器件 23‧‧‧再加熱系統 24‧‧‧加熱器件 27‧‧‧輸送機路徑 28‧‧‧輸送機滾筒 29‧‧‧滾筒軸 30‧‧‧基板 31‧‧‧基板頂側 34‧‧‧吹掃氣體進給器件 35‧‧‧吹掃噴嘴
权利要求:
Claims (14) [1] 一種用以在具體而言用於太陽能電池生產之基板上生成薄層之裝置,其包括:APCVD塗覆裝置(13),其在超過250℃之溫度下藉助APCVD方法施加該等薄層,具有輸送機滾筒(28)之水平輸送機路徑(27),該等輸送機滾筒係由耐熱非金屬材料組成以用於以連續操作方式輸送該等基板,及加熱器件(14)及/或吹掃氣體進給器件(34),其配置在該輸送機路徑之遠離該APCVD塗覆裝置之一側。 [2] 如請求項1之裝置,其中該等輸送機滾筒係由陶瓷材料(較佳氧化鋁)組成或經其塗覆。 [3] 如請求項1或2之裝置,其中將該APCVD塗覆裝置配置在該輸送機路徑上方且將該加熱器件及/或該吹掃氣體進給器件配置在該APCVD塗覆裝置在該輸送機路徑下方之區域中。 [4] 如請求項1或2之裝置,其中在通道方向中,在該APCVD塗覆裝置之上游提供該等基板之預加熱器件(20、21)及/或在該APCVD塗覆裝置之下游提供該等基板之再加熱器件(23、24),較佳在該輸送機路徑上與該APCVD塗覆裝置同側提供。 [5] 如請求項1或2之裝置,其中沿該輸送機路徑間隔預定距離提供至少兩個APCVD塗覆裝置(113a、113b)。 [6] 如請求項5之裝置,其中在任兩個APCVD塗覆裝置之間提供該輸送機路徑之加熱區域且提供配置在該輸送機路徑上方之加熱器件(125、126)。 [7] 如請求項1或2之裝置,其中該APCVD塗覆裝置經設計以用於大於600℃、較佳大於800℃、更佳大於1000℃之沈積溫度。 [8] 如請求項1或2之裝置,其中較佳在該APCVD塗覆裝置外部提供具有氣體(較佳空氣、N2或氣體混合物)之熱流之加熱系統作為該加熱器件。 [9] 如請求項1或2之裝置,其中在該各別APCVD塗覆裝置上提供廢氣系統(15)。 [10] 如請求項1或2之裝置,其中該吹掃氣體進給器件經設計以將該等基板暴露於來自下方之吹掃氣體中,較佳係藉助吹掃噴嘴。 [11] 如請求項1或2之裝置,其中該吹掃氣體進給器件經設計以將該吹掃氣體作為加熱或冷卻該等基板之溫度控制介質引導至該等基板上。 [12] 如請求項1或2之裝置,其中可將該輸送機路徑相對於該裝置之其他部分向下降低。 [13] 一種使用前述請求項中任一項之裝置以連續操作方式生成薄層之方法,其特徵在於,作為該薄層,生成介電層或將其施加至基板上,該介電層較佳選自由以下組成之群:SiO2、Al2O3、SiNx、AlN,或將導電層較佳作為TCO施加至太陽能電池上,或將摻雜層施加至作為該基板之太陽能電池上,該摻雜層具體而言係P摻雜、B摻雜或Ge摻雜,或將抗反射層施加至作為該基板之太陽能電池上,該抗反射層較佳選自由以下組成之群:SiNx、MgO、MnO、TiO2、ZrO2及MoSi2。 [14] 如請求項13之方法,其中在該APCVD塗覆裝置之該區域中將該基板暴露於來自下方之吹掃氣體中。
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